RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
42
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
35
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2701
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link