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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
42
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
36
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2504
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
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