RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
104
En -189% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
2,404.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
36
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2281
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link