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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
12.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
104
En -333% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
24
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2517
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Kingston 99U5584-018.A00LF 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
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