RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs AMD R7S48G2400U2S 8GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
74
104
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
2,404.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
74
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
1774
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link