RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs AMD R7S48G2400U2S 8GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
74
104
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
2,404.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
74
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
1774
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link