RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
12.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
104
En -174% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
2,404.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
38
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
12.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2687
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link