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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
15.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
104
En -271% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
15.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
3601
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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