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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
20.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
15.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
104
En -447% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
19
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
20.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
3665
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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