RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
21.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
16.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
104
En -271% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
21.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
16.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
3739
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link