RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
13.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
104
En -259% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
29
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
3228
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link