RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
13.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
104
En -373% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
22
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
3295
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link