RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
14.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
104
En -160% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
40
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
3015
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link