RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
17.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
104
En -300% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
26
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
18.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
17.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
3983
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link