RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
14.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
104
En -247% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
3327
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link