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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
12.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
104
En -352% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
23
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2709
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kingston ACR256X64D3U1333C9 2GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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