RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
12.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
104
En -197% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
35
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2905
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link