RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
104
En -333% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.2
2,404.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
24
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
13.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
6.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
1845
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Informar de un error
×
Bug description
Source link