RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
13.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
104
En -316% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
25
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
3061
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link