RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
11.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
104
En -235% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
31
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2918
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link