RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
12.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
104
En -215% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
33
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2994
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link