RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
12.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
104
En -316% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
25
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
3187
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link