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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
104
En -271% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2929
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
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