RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
13.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
104
En -373% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
22
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
3297
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link