RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
15.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
104
En -235% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
31
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
3713
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
Samsung M393B2G70EB0-CMA 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB
Samsung M393B2G70EB0-CMA 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link