RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
16.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
104
En -271% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
18.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
3835
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD3-1333 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT41GU6AFR8C-PB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link