RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
12.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
104
En -300% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
26
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2728
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link