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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
104
En -247% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.7
2,404.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
9.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2496
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
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