RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
14.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
104
En -235% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
31
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
3112
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link