RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
12.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
104
En -215% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
33
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
3285
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link