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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
104
En -167% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
2,404.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
39
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2364
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
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