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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
11.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
104
En -197% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
35
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2926
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
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