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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
104
En -189% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.3
3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.5
2,404.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
36
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
9.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2081
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
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