RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
12.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
104
En -333% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
24
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2761
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link