RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2953CZ4-CE61 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Compara
Samsung M395T2953CZ4-CE61 1GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Puntuación global
Samsung M395T2953CZ4-CE61 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2953CZ4-CE61 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
18.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,177.1
16.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
69
En -176% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2953CZ4-CE61 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
25
Velocidad de lectura, GB/s
2,868.9
18.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,177.1
16.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
684
3849
Samsung M395T2953CZ4-CE61 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link