RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2953CZ4-CE61 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Porównaj
Samsung M395T2953CZ4-CE61 1GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2953CZ4-CE61 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2953CZ4-CE61 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,177.1
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
69
Wokół strony -176% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2953CZ4-CE61 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,868.9
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,177.1
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
684
3849
Samsung M395T2953CZ4-CE61 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link