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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Compara
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Puntuación global
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,072.7
11.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
75
En -127% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
33
Velocidad de lectura, GB/s
2,730.3
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,072.7
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
858
2562
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
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G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
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