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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Gesamtnote
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,072.7
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
75
Rund um -127% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
75
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,730.3
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,072.7
11.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
858
2562
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
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