RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Gesamtnote
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,072.7
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
75
Rund um -127% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
75
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,730.3
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,072.7
11.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
858
2562
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link