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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
比较
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
总分
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,072.7
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
75
左右 -127% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
33
读取速度,GB/s
2,730.3
15.6
写入速度,GB/s
2,072.7
11.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
858
2562
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
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Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
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