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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Compara
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Puntuación global
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
10.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
75
En -134% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
2,072.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
32
Velocidad de lectura, GB/s
2,730.3
10.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,072.7
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
858
2370
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
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G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
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