RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Comparar
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
10.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
75
Por volta de -134% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
2,072.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
75
32
Velocidade de leitura, GB/s
2,730.3
10.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,072.7
8.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
858
2370
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Comparações de RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link