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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
比较
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
总分
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
总分
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
75
左右 -134% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.3
2,072.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
32
读取速度,GB/s
2,730.3
10.9
写入速度,GB/s
2,072.7
8.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
858
2370
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
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