Comparación de la memoria RAM Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB

Puntuación global

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

2 16.4

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

2,072.7 11.8

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

24 75

En -213% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

17000 5300

En 3.21 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj

no data 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

858 2900

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns