Comparaison de la RAM Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB

Note globale

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

2 16.4

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

2,072.7 11.8

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

24 75

Autour de -213% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

17000 5300

Autour de 3.21 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge

no data 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

858 2900

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns