Comparação RAM Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB

Pontuação geral

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

2 16.4

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

2,072.7 11.8

Valor médio nos testes

Razões a considerar
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

24 75

Por volta de -213% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps

17000 5300

Por volta de 3.21 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio

no data 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

858 2900

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns