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Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Compara
Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB vs Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Puntuación global
Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB
Puntuación global
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
12.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
91
En -264% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
1,964.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
91
25
Velocidad de lectura, GB/s
3,032.3
12.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,964.2
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 31 32 33 34 35 36 37 38
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
682
2583
Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5750CZ4-CE61 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
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