Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB

Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB против Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB

Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB

Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 12.8
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    25 left arrow 91
    Около -264% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    10.2 left arrow 1,964.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 5300
    Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    91 left arrow 25
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,032.3 left arrow 12.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,964.2 left arrow 10.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 31 32 33 34 35 36 37 38
  • Тайминги / частота
    no data left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    682 left arrow 2583
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения