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Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
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Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB vs Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
総合得点
Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB
総合得点
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
12.8
テスト平均値
考慮すべき理由
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
91
周辺 -264% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
10.2
1,964.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
5300
周辺 3.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
91
25
読み出し速度、GB/s
3,032.3
12.8
書き込み速度、GB/秒
1,964.2
10.2
メモリ帯域幅、mbps
5300
17000
Other
商品説明
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 31 32 33 34 35 36 37 38
タイミング / クロック速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
682
2583
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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