RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
65
En -132% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.7
1,574.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,858.9
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,574.4
15.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
607
3741
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link