RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
65
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
1,574.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,858.9
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,574.4
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
607
3741
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link