RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
65
En -132% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
1,574.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,858.9
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,574.4
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
607
3673
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link